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Version 1.0
Si une administration déterminée souhaite que les abrégés qui lui sont soumis soient présentés par rubriques, il lui est recommandé d’incorporer les principes directeurs suivants dans sa propre réglementation.
La préparation d’abrégés présentés d’une façon uniforme permettant de les consulter aisément est facilitée dans une large mesure si l’abrégé est présenté par rubriques. Un tel abrégé est destiné à constituer un outil de filtrage efficace dans le cadre d’un domaine technique particulier, en particulier en aidant le lecteur à décider s’il y a lieu de consulter le document de brevet lui‑même. En ce qui concerne le contenu de l’abrégé il convient d’appliquer les principes directeurs de caractère général.
Un abrégé présenté par rubriques est subdivisé en un nombre limité de sections (rubriques), chacune d’entre elles étant mise en évidence par un intitulé bien défini. Afin de faciliter l’identification de ces sections, un numéro particulier est attribué à chaque intitulé. L’abrégé doit comporter les rubriques suivantes, dans l’ordre suivant :
a) Objet de l’invention
b) Caractéristiques de l’invention
c) Champ d’application
d) Alternatives (s’il y a lieu)
e) Exemple(s) et/ou dessin(s) (s’il y a lieu).
Le cas échéant, la formule chimique caractérisant l’invention doit apparaître sous l’intitulé N°2.
Brevet GB Nº 1 321 260
a) Objet de l’invention
Accumulateur électrique au nickel‑cadmium perfectionné présentant de meilleures caractéristiques de rétention et des caractéristiques de charge améliorées, en particulier aux températures élevées.
b) Caractéristiques de l’invention
Addition de Zn (sous forme métallique ou sous forme d’oxyde) à l’électrode positive ou à l’électrolyte, ou aux deux, à raison de 1,10 à 3,50 (de préf. 2,3) ou de 1,10 à 1,35 (de préf. 1,3) fois la quantité de Zn nécessaire pour saturer l’électrolyte. L’électrode positive comprend un matériau antipolaire, de préférence du Cd0. Il en résulte une extension de la durée de vie de l’accumulateur, en particulier pendant les périodes prolongées de stockage de celui‑ci sans utilisation.
e) Exemple
Composition de l’électrode positive :
Ni(OH)2 : 62,0%, Graphite : 18,6%, CdO : 11,98%, Zn : 4,9%, Dynel : 0,6%, H2O : 2,08%
Electrode négative :
CdO : 86,09%, Ni : 13, 38%, Dynel : O,53%
Brevet US Nº 3 738 822
a) Objet de l’invention
Un polissage de surfaces planes d’arsénium de gallium permettant d’obtenir un poli d’un haut degré de perfection quelle que soit l’orientation cristallographique ou le type de conductivité.
b) Caractéristiques de l’invention
On monte des lamelles d’arsénium de gallium sur un bloc, ou un disque de polissage adjacent à un milieu de polissage. On assure un débit constant d’un hypochlorite d’un métal alcalin (de préf. de sodium ou de potassium) entre les lamelles et le milieu de polissage tout en provoquant un mouvement relatif entre la surface de GaAs et le milieu de polissage. La solution doit contenir une quantité de bicarbonate suffisante pour réagir avec tout hydroxyde présent dans la solution alcaline. La vitesse de polissage est de 6 à 28 mils/h, alors que celle de la technique antérieure est de 0.7 à 2 mil/h. La surface est lavée à l’eau in situ.
c) Domaine d’application
Production de dispositifs à semi‑conducteurs tels que les circuits intégrés monolithiques et les diodes.
e) Exemple
On monte des plaquettes de monocristaux d’arsénium de gallium (orientation cristallographique 100 et dopés à l’aide de chrome) sur un disque de polissage tournant (dans un milieu de polissage) à 60t/min. et on les lave à l’eau à raison d’environ 200 cm3/min. pendant 3 minutes, on assure ensuite un débit constant de 50 cm3 /min. de solution de polissage (hypochlorite de sodium 0,8N et carbonate de sodium 0,8N). Les plaquettes de GaAs sont à nouveau lavées à l’eau comme mentionné ci‑dessus.
[Fin de la norme]